硒吩聚合物/寡聚物有机光电材料研究进展

周丽娜; 孙明亮

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硒吩聚合物/寡聚物有机光电材料研究进展

综述 | 更新时间：2022-09-18

- 硒吩聚合物/寡聚物有机光电材料研究进展
- Progress of Selenophene Polymers and Oligomers Based Organic Optoelectronic Materials
- 高分子通报 2013年26卷第3期页码：36-45
- 作者机构：
  
  中国海洋大学材料科学与工程研究院，青岛　266100
- 作者简介：
  
  周丽娜(1987-)，女，硕士研究生在读;
  *E-mail:mlsun@ouc.edu.cn.
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(50903078;21274134);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-11-0473)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：2013-03，
  
  收稿日期：2012-10-11，
  
  修回日期：2012-11-29，
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周丽娜, 孙明亮. 硒吩聚合物/寡聚物有机光电材料研究进展[J]. 高分子通报, 2013,26(3):36-45.

Li-na ZHOU, Ming-liang SUN. Progress of Selenophene Polymers and Oligomers Based Organic Optoelectronic Materials[J]. Polymer Bulletin, 2013,26(3):36-45.
周丽娜, 孙明亮. 硒吩聚合物/寡聚物有机光电材料研究进展[J]. 高分子通报, 2013,26(3):36-45. DOI：

Li-na ZHOU, Ming-liang SUN. Progress of Selenophene Polymers and Oligomers Based Organic Optoelectronic Materials[J]. Polymer Bulletin, 2013,26(3):36-45. DOI：

摘要

主要从光电性能角度总结了近几年硒吩聚合物/寡聚物在有机太阳能电池(OSCs)、场效应晶体管(FETs)、发光二级管(LED)等方面的研究进展。目前

基于聚硒吩并[3

4-b]硒吩-苯并二硒吩(PSeB2)(polyselenopheno[3

4-b]

selenophene-co-benzodiselenophene)本体异质结太阳能电池器件的能量转化效率最高

达6.87%;场效应晶体管方面

基于PSeDPP(P28)器件的空穴迁移率最高达1.62cm

·V

-1

·s

-1

。基于PFO-DDSTQ(一种硒吩芴基聚合物)的发光二级管

表现出目前基于硒吩化合物的最长波长发光器件

EL光谱峰值约860nm。通过对研究者的研究成果的总结发现

在有机光电器件的应用领域中硒吩聚合物/寡聚物是一种极具应用前景的材料。

Abstract

In recent years

many researchers have an increasing interest in selenophene based polymers and oligomers in organic optoelectronic devices. So far

organic solar cells based on polyselenopheno[3

4-b]selenophene-co-benzodiselenophene(PSeB2) show higher power conversion efficiency of 6.87%

eld-effect transistors based on PSeDPP(P28)

consisting of selenophene and 3

6-dithiophen-2-yl-2

5-dialkylpyrrolo[3

4-c]

pyrrole-1

4-dione (DPP)

show higher hole mobility of 1.62cm

/(Vs). PLED device based on PFO-DDSTQ show near infrared emission at 860nm. This paper summarizes the progress of selenophene polymers and oligomers based organic optoelectronic devices.

关键词

硒吩有机太阳能电池(OSCs)场效应晶体管(FETs)发光二级管(LED)

Keywords

SelenopheneOrganic solar cells (OSCs)Feld-effect transistors(FETs)Light emitting diode (LED)

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