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正电子湮没技术(PAT)在高分子材料中的应用（上）
专论与综述 | 更新时间：2022-09-18
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    • 正电子湮没技术(PAT)在高分子材料中的应用（上）

    • 暂无标题

    • 高分子通报   1995年8卷第2期 页码：79-85
    • 作者机构：

      中国科学院化学研究所高分子物理开放实验室，北京，100080

    • 作者简介：

      [ "李桂芝 1967年出生于山东省东营市。1985年考入北京航空航天大学高分子材料专业。1989年被推荐免试入北航研究生院攻读硕士学位。.1991年入中国科学院化学研究所，在施良和先生的指导下从事聚合物共混及物性方面的研究工作。1994年7月获高分子化学与物理学科理学博士学位。现在山东大学化学院从事有关高分子的教学与科研工作。已在国内、国际学术会议及期刊上发表文章8篇。" ]

    • 纸质出版日期：1995-06，

    扫 描 看 全 文

  • 李桂芝, 施良和, 叶美玲. 正电子湮没技术(PAT)在高分子材料中的应用（上）[J]. 高分子通报, 1995,8(2):79-85. DOI：

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